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J-GLOBAL ID：201002219694574542   整理番号：10A1104242

酸化中のSiC層へのSiおよびC原子放出についての理論的検討

著者 (4件)： 土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院) ,  吉田貞史 (産総研 ADPERC)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15A-ZS-10  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  基板 ,  *熱酸化 ,  *二酸化ケイ素 ,  酸化膜 ,  MOS構造 ,  *相互拡散 ,  格子間原子 ,  深さプロフィル ,  拡散距離 ,  界面 ,  偏光解析法 ,  化成皮膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化 ,  SiC ,  Si ,  C原子 ,  放出 ,  理論