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文献
J-GLOBAL ID：201102239405788481
整理番号：11A1492100 RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長
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折原操
(埼玉大 大学院)
, 八木修平
(埼玉大 大学院)
, 土方泰斗
(埼玉大 大学院)
, 矢口裕之
(埼玉大 大学院)
資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) について
巻： 72nd ページ： ROMBUNNO.30A-ZE-8 発行年： 2011年08月16日
JST資料番号： Y0055B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MBE成長
, MBE成長 について
窒化インジウム
, 窒化インジウム について
*化合物半導体
, 化合物半導体 について
半導体材料
, 半導体材料 について
ヒ化ガリウム
, ヒ化ガリウム について
*X線回折
, X線回折 について
光ルミネセンス
, 光ルミネセンス について
半導体薄膜
, 半導体薄膜 について
結晶構造
結晶構造 について
分類 (1件)：
分類
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半導体の結晶成長
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(BK13040X)
半導体の結晶成長 について
タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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RF-MBE
, RF-MBE について
InN
, InN について
InGaN
, InGaN について
GaAs
, GaAs について
成長
成長 について
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