特許

J-GLOBAL ID：201103080641225212

シリコン酸化膜の製造方法

発明者： 村瀬 仁俊 ,  下 俊久 ,  野村 信福 ,  豊田 洋通 ,  山下 浩 ,  倉本 誠
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機 ,  国立大学法人愛媛大学
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-099536
公開番号（公開出願番号）：特開2006-274426
特許番号：特許第4665111号
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコーン化合物を含む液体中に生じ内部にプラズマが発生した気泡を基材の表面に接触させて、該基材の表面にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 26/00 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  C23C 16/509 ( 200 6.01) ,  H05H 1/24 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 26/00 D ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/24

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 液中プラズマ発生装置および薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-313979   出願人：株式会社テクノネットワーク四国
• プラズマ電気めっき
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-541139   出願人：チャク・マン・トーマス・チャン