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J-GLOBAL ID：201202222514720266   整理番号：12A1438812

スパッタ薄膜成長による4H-SiC基板中の非発光再結合中心生成

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著者 (4件)： 加藤寿悠 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.11P-PB2-12  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  *スパッタリング ,  *再結合中心 ,  *再結合 ,  格子欠陥 ,  点欠陥 ,  熱処理 ,  *光ルミネセンス ,  発光 ,  バンド端発光
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  *非発光再結合

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタ ,  薄膜成長 ,  4H-SiC ,  非発光再結合