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J-GLOBAL ID：201202224164017241   整理番号：12A1292993

高圧下電気抵抗測定によるCe-T-X(T:遷移金属,X:Si,Ge)物質の研究

著者 (8件)： 中島美帆 (信州大 理) ,  相澤勇也 (信州大 理) ,  内山登志行 (信州大 理) ,  天児寧 (信州大 理) ,  広瀬雄介 (大阪大 大学院) ,  本多忠憲 (大阪大 大学院) ,  摂待力生 (大阪大 大学院) ,  大貫惇睦 (大阪大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 67  号： 2 第3分冊  ページ： 516  発行年： 2012年08月24日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 高圧 ,  *電気抵抗 ,  *セリウム化合物 ,  *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  ロジウム化合物 ,  パラジウム化合物 ,  イリジウム化合物 ,  *圧力効果 ,  *Neel温度

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高圧 ,  電気抵抗測定 ,  Ce ,  遷移金属 ,  Si ,  Ge ,  物質 ,  研究