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J-GLOBAL ID：201202235572897960   整理番号：12A1438656

InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討

著者 (5件)： 増田篤 (埼玉大 大学院) ,  折原操 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.12A-PB4-11  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *バッファ層 ,  *表面構造 ,  *製膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  化合物半導体 ,  高温 ,  *構造

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (3件)： InN ,  成長 ,  バッファ層