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J-GLOBAL ID：201202269294814953   整理番号：12A1438630

In-flush法による1ミクロン帯発光InAs-QDの発光強度改善

著者 (5件)： 日野雄司 (和歌山大) ,  尾崎信彦 (和歌山大) ,  大河内俊介 (NEC) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.12P-PB11-8  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  *放射強度 ,  *インジウム ,  *基板温度 ,  *光ルミネセンス ,  保護膜 ,  化合物半導体 ,  発光強度

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (2件)： InAs ,  発光強度