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J-GLOBAL ID：201202271314197829   整理番号：12A1438638

MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長

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著者 (7件)： JIN R. (埼玉大 理工) ,  八木修平 (埼玉大 理工) ,  土方泰斗 (埼玉大 理工) ,  窪谷茂幸 (東大) ,  尾鍋研太郎 (東大) ,  片山竜二 (東北大 金属材料研) ,  矢口裕之 (埼玉大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.12P-PB11-16  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  *エルビウム ,  *置換 ,  固溶体 ,  基板 ,  *結晶成長 ,  X線回折 ,  二次イオン質量分析 ,  *ロッキングカーブ ,  *FWHM ,  *エピタクシー ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 混晶

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： MBE ,  GaAs ,  混晶 ,  成長