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J-GLOBAL ID：201202272956548214   整理番号：12A0589378

GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価

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著者 (6件)： 野口駿介 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  窪谷茂幸 (東大) ,  尾鍋研太郎 (東大) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17P-DP3-12  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *窒素 ,  *δドーピング ,  MOCVD ,  二次イオン質量分析 ,  フォトリフレクタンス ,  *バンド構造 ,  電子遷移 ,  X線回折 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *人工超格子 ,  多重量子井戸 ,  光学遷移 ,  エネルギー帯
準シソーラス用語： MOVPE ,  エネルギーバンド

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  窒素 ,  δドープ ,  超格子 ,  エネルギー ,  構造評価