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J-GLOBAL ID：201202285680090400   整理番号：12A1438745

RF-MBE法によるTiO₂(001)基板上への立方晶GaNの成長

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著者 (4件)： 折原操 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.13P-H9-17  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *酸化チタン ,  *立方晶系 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ルチル ,  プラズマ ,  RHEED ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  六方晶系 ,  第二相 ,  *基板 ,  RF放電
準シソーラス用語： RF-MBE

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： RF-MBE ,  TiO2 ,  立方晶 ,  GaN ,  成長