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J-GLOBAL ID：201202299473782580   整理番号：12A0093817

二段階エッチングを用いたシリコン微小ドット列の作成

著者 (1件)： 田村拓郎 (群馬大 ATEC)
資料名： 群馬大学アドバンスト・テクノロジー高度研究センター年報  (Annual Report of GU-ATEC)
号： 15  ページ： 32-35  発行年： 2011年11月 
JST資料番号： L6814A  資料種別： 年次報告 (Y)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 材料依存性が少ないArイオンミリング加工と電子線リソグラフィーを利用して,3D-Si微小ドットパターン形成を試みた。マスク材料の金属薄膜にAuを用いて二段階エッチングによってSi微小パターンを形成した。同様に,Ti薄膜を用いて実験を行った。作製の手順と得られた結果を検討した。Auドットをマスクにして,CF₄を用いたRIEによりSiエッチングして,ドットの直径20nm,高さ30nm,ドット間ピッチ30nmの市松模様格子パターン形成に成功した。エッチング選択性など技術的知見がいくつか得られた。

シソーラス用語： *マイクロマシニング ,  *ケイ素 ,  ナノ構造 ,  *パターン形成 ,  マスキング ,  RIE【エッチング】 ,  イオンエッチング ,  電子ビームリソグラフィー
準シソーラス用語： イオンミリング ,  ドットパターン ,  ナノパターン形成

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 段階 ,  エッチング ,  シリコン ,  微小 ,  ドット