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J-GLOBAL ID：201302253457891105   整理番号：13A1722880

GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性

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著者 (5件)： 山崎泰由 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  尾鍋研太郎 (東大) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19A-P8-14  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 量子井戸 ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  *多重量子井戸 ,  固溶体 ,  *ヒ化ガリウム ,  基板 ,  MOCVD ,  *光ルミネセンス ,  *励起エネルギー ,  トンネル効果 ,  *ヒ化窒化ガリウム
準シソーラス用語： *窒化ヒ化ガリウム ,  混晶 ,  MOVPE ,  *励起強度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  量子井戸 ,  励起 ,  強度依存性