特許

J-GLOBAL ID：201303019587944120

単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板

発明者： 志村 考功 ,  渡部 平司 ,  細井 卓治
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 前井 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-042746
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179200
出願日： 2012年02月29日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：

【課題】Snを添加することによりSiGeSnやGeSnの融点以下の熱処理で単結晶層を形成する技術を提供する。【解決手段】本発明は、単結晶状GeSn含有材料を製造する製造方法であって、保持基板に保持されたアモルファス状GeSn含有材料を用意する用意工程と、前記アモルファス状GeSn含有材料を加熱する加熱工程と前記アモルファス状GeSn含有材料を冷却する冷却工程とを包含する。更に、前記加熱工程は、前記アモルファス状GeSn含有材料を前記アモルファス状GeSn含有材料の融点温度以上にまで昇温することにより実行され得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

単結晶状GeSn含有材料を製造する製造方法であって、 保持基板に保持されたアモルファス状GeSn含有材料を用意する用意工程と、 前記アモルファス状GeSn含有材料を加熱する加熱工程と 前記アモルファス状GeSn含有材料を冷却する冷却工程と、 を包含した、単結晶状GeSn含有材料の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L31/04 E ,  H01L31/04 H

Fターム (41件)：

5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK08 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP36 ,  5F151AA02 ,  5F151AA08 ,  5F151CB02 ,  5F151CB08 ,  5F151CB12 ,  5F151GA04 ,  5F152AA11 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152BB09 ,  5F152CC02 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CD05 ,  5F152CD08 ,  5F152CD12 ,  5F152CD17 ,  5F152CE02 ,  5F152CE17 ,  5F152CE24 ,  5F152CE28 ,  5F152CF13 ,  5F152EE16 ,  5F152FF27 ,  5F152LL09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NP04 ,  5F152NQ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-036441   出願人：ソニー株式会社
• 伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-132189   出願人：国立大学法人名古屋大学
• 熱処理装置及び熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-162143   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-282447   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所