特許
J-GLOBAL ID:201303071820478609

磁性薄膜素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-219619
公開番号(公開出願番号):特開2010-056288
特許番号:特許第5120950号
出願日: 2008年08月28日
公開日(公表日): 2010年03月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基材上に強磁性金属層、常磁性金属層及び強磁性金属層の3層構造を持つ薄膜が設けてある磁性薄膜素子であって、 少なくとも前記強磁性金属層と前記基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあり、 前記強磁性金属層は組成式Co2FeAlxSi1-x(CFAS)で表される層であって、当該CFAS層は、エピタキシャル成長され、結晶方位が[001]方向に揃ったものであることを特徴とする磁性薄膜素子。
IPC (3件):
H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/10 ( 200 6.01) ,  H01F 10/16 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10 ,  H01F 10/16
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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