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J-GLOBAL ID：201402218643252926   整理番号：14A1100052

SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化

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著者 (4件)： 今野良太郎 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19A-PB5-11  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化膜 ,  薄膜成長 ,  *成長速度 ,  *基板 ,  *炭化ケイ素 ,  MOS構造 ,  キャリア移動度 ,  *熱処理 ,  気体 ,  アルゴン ,  膜厚 ,  チャネル移動度 ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： 雰囲気ガス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  酸化 ,  Ar ,  アニール ,  酸化膜 ,  成長速度