複数の基板上へシリコン膜を一括して形成する方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大島正孝 , 勝又秀夫 , 白石泰三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-241718
公開番号（公開出願番号）：特開2014-093345
出願日： 2012年11月01日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
要約：

【課題】一度の処理によって複数の基板上にシリコン膜を形成するための方法であって、プロセスコストが安く、作業効率が高い、前記方法を提供することを提供すること。【解決手段】本発明は、複数の基板を積み重ねて加熱した状態で、常圧下で、シラン化合物を含有するCVD原料を加熱して発生した気化物と接触させることを特徴とする、複数の基板上へシリコン膜を一括して形成する方法に関する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

複数の基板を積み重ねて加熱した状態で、常圧下で、シラン化合物を含有するCVD原料を加熱して発生した気化物と接触させることを特徴とする、複数の基板上へシリコン膜を一括して形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/24

Fターム (37件)：

4G072AA01 , 4G072BB09 , 4G072FF01 , 4G072FF09 , 4G072GG03 , 4G072HH28 , 4G072NN13 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA30 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030GA01 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC04 , 5F045AC05 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045BB08 , 5F045DP19

引用特許：

審査官引用 (9件)

基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板処理用反応管
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-264537 出願人：株式会社日立国際電気
シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-174268 出願人：シャープ株式会社
ホウ素でドープされたシリコン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-291393 出願人：ジェイエスアール株式会社

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