グラフェン形成方法および形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-173011
公開番号（公開出願番号）：特開2015-040156
出願日： 2013年08月23日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
要約：

【課題】特性を劣化させることなく、グラフェンのパターンが形成できるようにする。【解決手段】ステップS101で、炭化シリコン(SiC)基板を用意する(第1工程)。次に、ステップS102で、SiC基板の表面の所望の加工箇所にパルスレーザーを照射して所望の箇所にグラフェンを形成する(第2工程)。例えば、波長248nmでパルス幅55nsのパルスパルスレーザーを照射する。光源としては、KrFエキシマパルスレーザーを用いればよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiC基板を用意する第1工程と、前記SiC基板の表面の所望の加工箇所にパルスレーザーを照射して前記所望の箇所にグラフェンを形成する第2工程とを備えることを特徴とするグラフェン形成方法。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (11件)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AD28 , 4G146BA08 , 4G146BA42 , 4G146BC01 , 4G146BC15 , 4G146BC23 , 4G146DA03 , 4G146DA40

引用特許：

審査官引用 (6件)

炭素クラスター含有硬質膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248851 出願人：住友大阪セメント株式会社
グラフェンシート付き基材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-172165 出願人：セイコーエプソン株式会社
カーボンナノチューブの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-206764 出願人：トヨタ自動車株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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