特許

J-GLOBAL ID：201503016585980738

半導体装置およびその製造方法

発明者： 箕谷 周平 ,  中野 佑紀 ,  渡部 平司 ,  志村 考功 ,  細井 卓治 ,  桐野 嵩史
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-529942
特許番号：特許第5823294号
出願日： 2010年09月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】炭化シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成する工程と、 水素を含むガス中で前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜をアニールする工程と、 前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜のアニール後、前記酸化シリコン膜上に酸窒化アルミニウム膜を形成する工程と、 前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜をアニールする工程の前に、前記酸化シリコン膜に窒素プラズマを照射する工程とを含み、 前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜のアニールは、水素と窒素とを混合したフォーミングガス中で450〜1000°Cの温度条件下で行われ、 前記フォーミングガスは、3%の水素と97%の窒素とを含み、 前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜のアニールは、1000°Cの温度条件下で30分間行われた後、450°Cの温度条件下で30分間行われる、半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (15件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 27/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• N2Oを用いた、炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-533356   出願人：クリーインコーポレイテッド

審査官引用 (3件)

• 炭化けい素半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082087   出願人：富士電機株式会社
• N2Oを用いた、炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-533356   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 炭化珪素電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-176089   出願人：三菱電機株式会社, 国立大学法人東京工業大学

引用文献：

出願人引用 (2件)

• AlO2/SiO2積層ゲート絶縁膜を用いた4H-SiC MISFET の特性
• 窒素プラズマ照射と水素アニール複合処理による4H-SiC MOSFETの移動度向上

審査官引用 (3件)

• イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの最適構造に関する検討2 Study on optimum structure
• AlO2/SiO2積層ゲート絶縁膜を用いた4H-SiC MISFET の特性
• 窒素プラズマ照射と水素アニール複合処理による4H-SiC MOSFETの移動度向上