特許

J-GLOBAL ID：200903031700864896

炭化珪素電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者： 三浦 成久 ,  大森 達夫 ,  ▲徳▼光 永輔 ,  日野 史郎 ,  畑山 智裕
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-176089
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016530
出願日： 2007年07月04日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】炭化珪素電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と炭化珪素半導体間に良質な界面を得る。【解決手段】ゲート絶縁膜4は、1nm以下の膜厚の酸化珪素11と、当該酸化珪素11の表面上に酸化アルミニウム等の堆積絶縁膜12が積層された構造を有する。好ましくは、酸化珪素11の膜厚は、0.3nmから0.9nmの範囲内の値にある。尚、堆積絶縁膜12の積層後に、本炭化珪素電界効果型トランジスタを製膜温度よりも高温で不活性ガス中若しくは一酸化窒素ガス中で熱処理することとしても良い。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

酸化珪素と堆積絶縁膜との積層構造から成るゲート絶縁膜を有する炭化珪素電界効果型トランジスタにおいて、 炭化珪素の表面上に形成された前記酸化珪素の膜厚が1nm以下であることを特徴とする、 炭化珪素電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658F

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-093989   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
• 炭化けい素半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082087   出願人：富士電機株式会社
• 低温度におけるゲートスタック製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-543069   出願人：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
• 金属化合物薄膜およびその製造方法、ならびに当該金属化合物薄膜を含む半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-399459   出願人：ローム株式会社, 株式会社堀場製作所, 株式会社ルネサステクノロジ, 独立行政法人産業技術総合研究所
• SiC半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-317022   出願人：株式会社デンソー
• ウェハ接合によって製造される半導体-誘電体-半導体デバイス構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-233104   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

審査官引用 (4件)

• 低温度におけるゲートスタック製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-543069   出願人：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
• ウェハ接合によって製造される半導体-誘電体-半導体デバイス構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-233104   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 金属化合物薄膜およびその製造方法、ならびに当該金属化合物薄膜を含む半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-399459   出願人：ローム株式会社, 株式会社堀場製作所, 株式会社ルネサステクノロジ, 独立行政法人産業技術総合研究所
• SiC半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-317022   出願人：株式会社デンソー

引用文献：

出願人引用 (1件)

• 6P-ZN-10 低温堆積Al2O3を用いたSiC MOSFETアニールによる電気的特性の変化

審査官引用 (1件)

• P-ZN-10 低温堆積Al2O3を用いたSiC MOSFETアニールによる電気的特性の変化