特許

J-GLOBAL ID：201603019461808038

単結晶状GeSn含有材料の製造方法

発明者： 志村 考功 ,  渡部 平司 ,  細井 卓治
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 前井 宏之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-042746
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179200
特許番号：特許第5943341号
出願日： 2012年02月29日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 単結晶状GeSn含有材料を製造する製造方法であって、 物理成膜法により、Ge及びSn、あるいはGe、Sn及びSiを保持基板上に蒸着させて、前記保持基板にアモルファス状GeSn含有材料を保持させる用意工程と、 Geの融点よりも低い所定温度まで前記アモルファス状GeSn含有材料を昇温する加熱工程と、 前記アモルファス状GeSn含有材料を冷却する冷却工程と、 を包含し、集光ランプアニール処理を実施することなく、Snが析出する前に前記アモルファス状GeSn含有材料を結晶化して、前記単結晶GeSn含有材料を製造する、単結晶状GeSn含有材料の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-036441   出願人：ソニー株式会社
• 伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-132189   出願人：国立大学法人名古屋大学
• 熱処理装置及び熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-162143   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-282447   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所