文献

J-GLOBAL ID：201702262627371534   整理番号：17A0548460

As₂分子線を用いて成長したInAs量子ドットへのGaAsキャップによる構造変化

著者 (5件)： 林佑真 (和歌山大) ,  尾崎信彦 (和歌山大) ,  大河内俊介 (NEC) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-313-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ素 ,  *分子ビーム ,  *薄膜成長 ,  *量子ドット ,  *ヒ化ガリウム ,  *キャップ ,  *変化 ,  MBE成長 ,  結晶成長 ,  構造物 ,  電子顕微鏡観察 ,  光学的性質 ,  光ルミネセンス ,  化学種 ,  *InAs量子ドット ,  *構造変化 ,  埋込み構造物 ,  分子種 ,  透過型電子顕微鏡法
準シソーラス用語： As ,  分子線 ,  GaAs ,  分子線エピタクシー成長 ,  透過型電子顕微鏡観察 ,  光学特性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子線 ,  成長 ,  InAs量子ドット ,  GaAs ,  キャップ ,  構造変化