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J-GLOBAL ID：201702264306438863   整理番号：17A0236831

グラフェンナノアイランドにおけるPt(111)表面状態の閉じ込め

Confinement of the Pt(111) Surface State in Graphene Nanoislands

著者 (16件)： KIM Hyo Won (RIKEN, Saitama, JPN) ,  KIM Hyo Won (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  TAKEMOTO Seiji (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TAKEMOTO Seiji (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MINAMITANI Emi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MINAMITANI Emi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OKADA Tomonari (RIKEN, Saitama, JPN) ,  OKADA Tomonari (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  TAKAMI Takeshi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TAKAMI Takeshi (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MOTOBAYASHI Kenta (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MOTOBAYASHI Kenta (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  TRENARY Michael (Univ. Illinois at Chicago, Illinois, USA) ,  KAWAI Maki (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KOBAYASHI Nobuhiko (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KIM Yousoo (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 1  ページ： 345-349  発行年： 2016年01月14日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt(111)基板上に成長したグラフェンナノアイランド(GN)の電子状態の閉じ込めに対する基礎をなす金属の影響を,走査トンネル顕微鏡(STM)および密度汎関数理論(DFT)計算を用いて検討した。GNは清浄なPt(111)表面にエチレンを曝露した後,1100Kでアニールすることで調製した。STM測定は超真空下の4.7Kで行った。DFT計算はAb-initio法で行った。その結果,GN中の閉じ込められた電子はdI/dVマップ中で定在波パターンを観測して,それらの電子特性はグラフェン中のDirac電子よりはPt基板中の遊離の電子の効果によるものであった。また,DFT計算によって,Ptの表面状態とグラフェンとのハイブリダイゼーションを定量的に示した。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *ナノ構造 ,  *島状構造 ,  *白金 ,  *表面構造 ,  *電子状態 ,  *閉込め ,  密度汎関数法 ,  ab initio法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  分子ハイブリダイゼーション ,  *ナノアイランド ,  *構造 ,  アルケン
準シソーラス用語： DFT計算 ,  ハイブリダイゼーション

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

物質索引 (1件)： エチレン

タイトルに関連する用語 (2件)： Pt ,  閉じ込め