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J-GLOBAL ID：201702290491108654   整理番号：17A0511266

Ta[NC(CH₃)₃][OC(CH₃)₃]₃およびO₂からのTa₂O₅誘電薄膜の低温MOCVD

Low temperature MOCVD of Ta₂O₅ dielectric thin films from Ta[NC(CH₃)₃][OC(CH₃)₃]₃ and O₂

著者 (8件)： CHIBA Hirokazu (Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology) ,  CHIBA Hirokazu (TOSOH Corporation) ,  TADA Ken-ichi (Sagami Chemical Research Institute) ,  FURUKAWA Taishi (TOSOH Corporation) ,  YAMAMOTO Toshiki (TOSOH Corporation) ,  YOTSUYA Tadahiro (TOSOH Corporation) ,  OSHIMA Noriaki (TOSOH Corporation) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 124  号： 5  ページ： 510-514(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 155~400°Cにおける金属有機化学蒸着(MOCVD)により,トリ(tert-ブトキシ)(イソプロピリミド)タンタル[Ta[NCH(CH₃)₂][OC(CH₃)₃]₃]-O₂,トリ(tert-ブトキシ)(tert-ブチルイミド)タンタル[Ta[NC(CH₃)₃][OC(CH₃)₃]₃]-O₂およびペンタエトキシタンタル[Ta(OC₂H₅)₅]-O₂系から非晶質SiO₂およびPt/TiO_x/SiO₂/Si基板上にTa₂O₅薄膜を堆積した。Ta[NCH(CH₃)₂][OC(CH₃)₃]₃-O₂系とTa[NC(CH₃)₃][OC(CH₃)₃]₃-O₂系からの膜の堆積速度は,基板に関わらずほぼ同様の温度依存性を示した。この2つの系の堆積速度は,全ての堆積温度範囲においてTa(OC₂H₅)₅-O₂系よりも高かった。200°CにおいてTa[NC(CH₃)₃][OC(CH₃)₃]₃-O₂系からPt/TiO_x/SiO₂/Si基板に堆積したTa₂O₅薄膜,および300°CにおいてTa(OC₂H₅)₅-O₂系から堆積した薄膜の誘電特性も調べた。堆積温度が100°C低いにもかかわらず,Ta[NC(CH₃)₃][OC(CH₃)₃]₃-O₂系からのTa₂O₅膜は,Ta(OC₂H₅)₅-O₂系からの膜より低い漏れ電流密度および同様の誘電率を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  誘電体薄膜 ,  *酸化タンタル ,  MOCVD ,  *微細構造 ,  結晶構造 ,  堆積速度 ,  基板 ,  基板温度 ,  *誘電性 ,  走査電子顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  電流密度 ,  蒸着温度 ,  原子間力顕微鏡法 ,  電界放出型走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 誘電薄膜 ,  金属有機化学蒸着 ,  微細組織 ,  誘電特性 ,  FE-SEM ,  漏れ電流密度

著者キーワード (4件)： Tantalum oxide ,  Dielectric thin film ,  MOCVD precursor ,  Deposition rate

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (19件)：

• 1) W. Zeng, E. Eisenbraun, H. Frisch, J. J. Sullivan, A. E. Kaloyeros, J. Margalit and K. Beck, J. Electrochem. Soc., 151, F172–F177 (2004).
• 2) A. Pignolet, G. M. Rao and S. B. Krupanidhi, Thin Solid Films, 258, 230–235 (1995).
• 3) K. Kukli, M. Ritala and M. Leskela, Chem. Mater., 12, 1914–1920 (2000).
• 4) K. Kukli, M. Ritala and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 142, 1670–1675 (1995).
• 5) J.-Y. Zhang, B. Lim and I. W. Boyd, Appl. Surf. Sci., 154–155, 382–386 (2000).

タイトルに関連する用語 (7件)： Ta ,  NC ,  O2 ,  Ta2O5 ,  誘電薄膜 ,  低温 ,  MOCVD