文献

J-GLOBAL ID：201702292147692467   整理番号：17A0551279

3次元界面構造を持つInGaAs薄膜からの1μm帯高輝度・広帯域発光

著者 (7件)： 兼平真吾 (和歌山大) ,  林佑真 (和歌山大) ,  尾崎信彦 (和歌山大) ,  大河内俊介 (NEC) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構) ,  HOGG Richard A. (グラスゴー大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17p-P2-9  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体材料 ,  輝度 ,  広帯域 ,  *光ルミネセンス ,  *発光スペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  表面構造 ,  界面構造 ,  高輝度 ,  構造

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3次元 ,  界面構造 ,  InGaAs ,  薄膜 ,  高輝度 ,  広帯域