成膜方法及び成膜装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：別役重尚 , 村松聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-218913
公開番号（公開出願番号）：特開2017-038088
出願日： 2016年11月09日
公開日（公表日）： 2017年02月16日
要約：

【課題】膜厚が大きくても窒素が厚み方向に関して均一に分散したAlON膜を生成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】ウエハWのSiC基板17上において、AlN膜23の成膜及びAlN膜23の酸化による酸化AlN膜23aの生成を繰り返して酸化AlN膜23aの積層構造を有するAlON膜25を形成し、該積層構造を有するAlON膜25に熱処理を施す。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

チャンバ内において、膜厚が50nm以上のAlON膜からなるゲート絶縁膜を成膜する成膜方法であって、 AlN膜を成膜する成膜ステップと、前記成膜されたAlN膜を酸化する酸化ステップとを有し、前記成膜ステップでは、前記チャンバ内にアルミニウム源ガスを導入した後、前記チャンバ内を排気しながらも余分なアルミニウム源ガスの分子を全て排出する前に窒素源ガスを導入し、前記酸化ステップでは、前記チャンバ内に酸素源ガスを導入し、前記成膜ステップ及び前記酸化ステップを交互に繰り返して前記酸化されたAlN膜が積層された積層構造を有するAlON膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/318 C , H01L21/31 B , H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L29/78 658F

Fターム (48件)：

5F045AA04 , 5F045AA15 , 5F045AB34 , 5F045AC00 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE19 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF08 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DC55 , 5F045DP15 , 5F045DP19 , 5F045DP27 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045DQ10 , 5F045EE10 , 5F045EE18 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EK06 , 5F045EK07 , 5F045HA16 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BB10 , 5F058BC20 , 5F058BD05 , 5F058BD12 , 5F058BE10 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-119766 出願人：株式会社日立国際電気
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-294264 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
基板処理装置および基板処理方法、高速ロータリバルブ、クリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-079501 出願人：東京エレクトロン株式会社

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