特許
J-GLOBAL ID：200903033198559475

半導体装置およびその製造方法、ならびに金属化合物薄膜の製造方法

発明者：
岩本 邦彦

岩本 邦彦 について

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生田目 俊秀

生田目 俊秀 について

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富永 浩二

富永 浩二 について

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安田 哲二

安田 哲二 について


出願人/特許権者：
株式会社堀場製作所

株式会社堀場製作所 について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (2件)： 森下 賢樹 ,  速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083687
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296536
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】高誘電体ゲート絶縁膜を備えるトランジスタにおいて、ゲート絶縁膜中における酸素や金属元素の拡散を抑制し、素子の信頼性を向上させる。【解決手段】高誘電体ゲート絶縁膜106を、シリコン基板102側から、窒素高濃度層、窒素低濃度層および窒素高濃度層がこの順で積層した構造とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、層中に窒素原子が熱拡散してなる複数の含窒素金属化合物層を含む積層膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L21/318
FI (2件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/318 C
Fターム (30件)：
5F058BA05 ,  5F058BD02 ,  5F058BD18 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF55 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA02 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BG08 ,  5F140BG52 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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