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J-GLOBAL ID：201802227422450613   整理番号：18A1330586

AlGaN/GaN MOS構造における原子層堆積を用いたAlONゲート誘電体の実現とその物理的および電気的特性

Implementation of atomic layer deposition-based AlON gate dielectrics in AlGaN/GaN MOS structure and its physical and electrical properties

著者 (11件)： NOZAKI Mikito (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Kenta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMADA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIH Hong-An (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  NAKAZAWA Satoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ANDA Yoshiharu (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  HOSOI Takuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMURA Takayoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Heiji (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6S3  ページ： 06KA02.1-06KA02.7  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *MOS構造 ,  *化学蒸着 ,  酸素化合物 ,  窒化物 ,  *誘電体薄膜 ,  結合エネルギー ,  X線光電子分光法 ,  容量電圧特性 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *原子層堆積 ,  酸窒化アルミニウム

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (29件)：

• M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
• Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 17, 455 (1996).
• A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998).
• D. H. Cho, M. Shimizu, T. Ide, H. Okita, and H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4481 (2002).
• S. L. Selvaraj, T. Ito, Y. Terada, and T. Egawa, Appl. Phys. Lett. 90, 173506 (2007).

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  MOS構造 ,  原子層堆積 ,  ゲート誘電体 ,  物理 ,  電気的特性