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J-GLOBAL ID：201802264266946237   整理番号：18A0015440

短パルスレーザを用いた高効率深紫外LED実現の為のp-AlGaNのドーパント高活性化,並びに低抵抗電極の形成法の開発

著者 (1件)： 神谷格 (豊田工大)
資料名： 天田財団助成研究成果報告書  (Report of Grant-Supported Researches the Amada Foundation)
巻： 30  ページ： 174-176  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： J0694A  ISSN： 2434-0723  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者は,これまで窒化物半導体のドーパント活性化法としてレーザ誘起局所p型活性化(LILA)技術を開発した。本研究においては,深紫外LEDの高効率化へこのLILAの適用を試みた。Si基板上にMOCVDにより低温バッファーGaN,未ドープGaN,MgドープGaNをエピタキシャル成長させた。この積層構造サンプルを可動ステージ上に配備しArFエキシマレーザを照射した。照射後のサンプルについてホール効果および電流電圧特性評価を実施した。これらの実験から,LILAによってMgドープGaNをp型に局所活性化できることを立証できた。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  P型半導体 ,  マグネシウム ,  *ドーピング ,  *活性化 ,  *レーザ加熱 ,  加熱 ,  局部加熱

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (3件)：

• S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L139.
• Yoshinobu Aoyagi, Misaichi Takeuchi, Sohachi Iwai, and Hideki Hirayama, AIP Advances 2 (2012) 012177.
• 松本滉大,黒瀬範子,下野貴史,岩田直高,山田郁彦,神谷格,青柳克信, 2017年度秋季応用物理学会発表予定.

タイトルに関連する用語 (8件)： 短パルスレーザ ,  高効率 ,  深紫外LED ,  AlGaN ,  ドーパント ,  活性化 ,  低抵抗 ,  開発