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J-GLOBAL ID：200902145743588070   整理番号：03A0119165

High-k PrOxゲート絶縁膜の電気的・光学的特性

Electrical and Optical Properties of PrOx Thin Film for High-k Gate Insulator.
著者 (5件)：
金島岳

金島岳 について

(大阪大 大学院基礎工学研究科)

大阪大 大学院基礎工学研究科 について

, 
寒川雅之

寒川雅之 について

(大阪大 大学院基礎工学研究科)

大阪大 大学院基礎工学研究科 について

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池田幸司

池田幸司 について

(大阪大 大学院基礎工学研究科)

大阪大 大学院基礎工学研究科 について

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神田浩文

神田浩文 について

(大阪大 大学院基礎工学研究科)

大阪大 大学院基礎工学研究科 について

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奥山雅則

奥山雅則 について

(大阪大 大学院基礎工学研究科)

大阪大 大学院基礎工学研究科 について


資料名：
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

電子情報通信学会技術研究報告 について


巻： 102  号： 540(SDM2002 211-226)  ページ： 45-49  発行年： 2002年12月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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次世代High-kゲート絶縁膜材料として期待されているPrO...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*誘電体薄膜

誘電体薄膜 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ポストアニール

ポストアニール について

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分類 (2件)：
分類
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

,  誘電体測定技術・装置 
(BM05020Q)

誘電体測定技術・装置 について

引用文献 (17件)：
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タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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ゲート絶縁膜

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, 
光学的特性

光学的特性 について


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