特許

J-GLOBAL ID：200903035181837857

窒化ガリウム等のIII族窒化物の成膜方法

発明者： 長田 貴弘 ,  知京 豊裕 ,  上原 剛 ,  安西 純一郎
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (2件)： 渡辺 昇 ,  原田 三十義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-047384
公開番号（公開出願番号）：特開2008-255471
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】低い基板温度でも炭素コンタミネーションが少なく結晶性が良好な窒化ガリウムの成膜方法を提供する。【解決手段】大気圧近傍の圧力下で一対の電極12H,12E間に、有機ガリウム化合物であるTMGと窒素(N2)と水素(H2)とを含有するプロセスガスを導入するとともに、電極12H,12E間に電界を印加して放電を生成する。放電後のプロセスガスを基板90に接触させる。成膜時の基板温度を100〜400°Cにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板にIII族窒化物を成長させる方法であって、 大気圧近傍の圧力下で一対の電極間に電界を印加して放電空間を生成するとともに、前記放電空間に、III族元素を含む有機金属化合物と、窒素(N2)と、水素(H2)とを含有するプロセスガスを導入してプラズマ化し、プラズマ化後のプロセスガスを基板に接触させることを特徴とするIII族窒化物の成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA07 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB07 ,  5F045BB14 ,  5F045CA09 ,  5F045EE12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開WO/2007/018121
  

審査官引用 (7件)

• 窒化物半導体結晶の成長方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-316315   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体製造装置および半導体製造システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-163892   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-338149   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-381639   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 直流アーク放電プラズマによる表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-282521   出願人：奥井徳次郎
• 特開昭63-176395
  
• 結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-240383   出願人：日立電線株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Effects of hydrogen on carbon incorporation in GaN grown by remote plasma-enhanced metal-organic che