特許
J-GLOBAL ID:200903041500013692

ドライエッチング方法及びその方法を用いて作製されたフォトニック結晶素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 草野 卓 ,  稲垣 稔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-416438
公開番号(公開出願番号):特開2005-175369
出願日: 2003年12月15日
公開日(公表日): 2005年06月30日
要約:
【課題】 側壁ラフネスが極めて小さく、かつ高い垂直加工精度が得られるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 原子あるいは分子が凝集したクラスターをイオン化して加速し、そのクラスターイオンビームを物質表面に照射することにより、物質表面の構成原子をエッチング除去するドライエッチング方法において、クラスターを2種類以上の原子あるいは分子が凝集してなる混成クラスター42とし、その混成クラスター42にAr,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類の原子と、上記物質表面との反応により堆積して薄膜を形成する成分とが含まれているものとする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
原子あるいは分子が凝集したクラスターをイオン化して加速し、そのクラスターイオンビームを物質表面に照射することにより、物質表面の構成原子をエッチング除去するドライエッチング方法において、 上記クラスターが2種類以上の原子あるいは分子が凝集してなる混成クラスターとされ、 その混成クラスターに、Ar,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類の原子と、上記物質表面との反応により堆積して薄膜を形成する成分とが含まれていることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (1件):
H01L21/302
FI (1件):
H01L21/302 201B
Fターム (13件):
5F004BA11 ,  5F004BA20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA14 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB20 ,  5F004EA05 ,  5F004EA13
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)

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