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J-GLOBAL ID：201002275394276520   整理番号：10A0906144

トリフルオロメチル置換交互(チオフェン/フェニレン)-co-オリゴマー薄膜と単結晶トランジスタ

Thin-film and single-crystal transistors based on a trifluoromethyl-substituted alternating (thiophene/phenylene)-co-oligomer

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著者 (9件)： ICHIKAWA Musubu (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  ICHIKAWA Musubu (Presto, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), 4-8-1 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN) ,  KATO Tatsuya (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  UCHINO Tetsuro (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  TSUZUKI Takeo (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  INOUE Masamitsu (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  JEON Hyeon-gu (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  KOYAMA Toshiki (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  TANIGUCHI Yoshio (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 9  ページ： 1549-1554  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トリフルオロメチル置換交互(チオフェン/フェニレン)-co-オリゴマー(AC-5-CF3),1,4-ビス(5′-(4′′-トリフルオロメチルフェニル)チオフェン-2′-イル)ベンゼンに基づく薄膜トランジスタ(TFTs)と単結晶電界効果トランジスタ(FETs)の性能を明らかにする。微細AC5-CF3単結晶のFETは,3.1cm²V^-1s^-1の電界効果移動度を示した。この値は,ACS-CF3が有用なn型有機半導体材料であることを意味する。ACS-CF3 TFTsの性能は,ACS-CF3薄膜が沈積する基質温度に依存する。移動度,閾値電圧,及びサブ閾値勾配の観点から,100°Cの基質温度で最高の性能を得た。これは,沈着のためのより高い基質温度が,AC-CF3薄膜中の粒子のサイズを大きくし,結晶粒界の特性を改良するからである。しかし,ACS-CF3の120°Cでの沈着が,おそらくACS-CF3薄膜とシリコンウェハの熱膨張係数の差異のために,薄膜中で深い谷状のクラックを誘起し,事実上悪化した移動度をもたらした。100°Cでの沈積によって調製されたACS-CF3 TFTsは,電界効果移動度のチャネル長非依存性を示し,平均電界効果移動度が0.55±0.05cm²V^-1s^-1であった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,  *オリゴマ ,  *芳香族炭化水素 ,  *炭化水素 ,  *薄膜トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  単結晶 ,  有機半導体 ,  移動度 ,  キャリア移動度 ,  電場効果 ,  N型半導体 ,  *チオフェン類 ,  *交互炭化水素 ,  電界効果移動度 ,  *フェニレン基
準シソーラス用語： *フェニレン ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： 1,4-ビス[5-[4-(トリフルオロメチル)フェニル]-2-チエニル]ベンゼン

タイトルに関連する用語 (8件)： 置換 ,  チオフェン ,  フェニレン ,  CO ,  オリゴマー ,  薄膜 ,  単結晶 ,  トランジスタ