半導体発光素子の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：森幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315703
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124572
特許番号：特許第4290358号
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系III-V族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系III-V族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第1の平均転位密度を有する単結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が上記種の領域に規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造する場合に、上記半導体発光素子の発光領域が上記第2の領域から1μm以上離れるようにした半導体発光素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 5/323 ( 200 6.01) , H01L 33/00 ( 200 6.01) , H01S 5/02 ( 200 6.01) , H01S 5/22 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01S 5/323 610 , H01L 33/00 C , H01S 5/02 , H01S 5/22 610

引用特許：

審査官引用 (6件)

GaN系結晶成長用基板およびその用途
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-005682 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体基板および半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-056109 出願人：株式会社リコー
窒化ガリウム系半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-361420 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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