窒化ガリウム等のIII族窒化物の成膜方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：渡辺昇 , 原田三十義
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-047384
公開番号（公開出願番号）：特開2008-255471
特許番号：特許第5044860号
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板にIII族窒化物を成長させる方法であって、大気圧近傍の圧力下で一対の電極に電力を投入し前記一対の電極間に電界を印加して放電空間を生成するとともに、前記放電空間に、III族元素を含む有機金属化合物と、窒素(N2)と、水素(H2)とを含有するプロセスガスを導入してプラズマ化し、プラズマ化後のプロセスガスを基板に接触させ、前記プロセスガス中の窒素と水素の合計に対する水素濃度を5vol%〜50vol%とし、かつ前記電力を、前記プロセスガス中の水素の全量を窒素に置換した場合に前記プラズマ化のために投入すべき電力の3分の1倍〜2分の1倍とすることを特徴とするIII族窒化物の成膜方法。

IPC (2件)：