半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-514553
特許番号：特許第4904815号
出願日： 2004年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基体平面に対して突出した半導体凸部と、この半導体凸部を跨ぐようにその上部から相対する両側面上に延在するゲート電極と、このゲート電極と前記半導体凸部の間に介在するゲート絶縁膜と、前記半導体凸部に設けられたソース/ドレイン領域とを有するMIS型電界効果トランジスタ、このトランジスタを含む基体上に設けられた層間絶縁膜、及びこの層間絶縁膜に形成された溝に導電体が埋め込まれてなる埋め込み導体配線を有し、前記埋め込み導体配線は、前記半導体凸部のソース/ドレイン領域と、前記層間絶縁膜下の他の導電部とに接続され、且つ前記層間絶縁膜の上面と同一平面にある上面、及び前記ソース/ドレイン領域との接続部における半導体凸部上面より下方にある下面を有し、この埋め込み導体配線は、前記半導体凸部のソース/ドレイン領域と、前記層間絶縁膜下の他の導電部とを結合し、前記MIS型電界効果トランジスタとして、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有し、前記埋め込み導体配線は、第1のトランジスタのソース/ドレイン領域と、前記の他の導電部として第2のトランジスタのゲート電極とに接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 29/41 ( 200 6.01) , H01L 29/417 ( 200 6.01) , H01L 27/11 ( 200 6.01) , H01L 21/8244 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 27/08 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 23/522 ( 200 6.01) , H01L 21/768 ( 200 6.01)

FI (13件)：

H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 613 B , H01L 29/44 L , H01L 29/50 M , H01L 27/10 381 , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 X , H01L 27/08 331 E , H01L 27/08 102 A , H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-160911 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平3-177072
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-339345 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (1件)

A Novel 6T-SRAM Cell Technology Designed with Rectangular Patterns Scalable beyond 0.18μm Generati

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