特許

J-GLOBAL ID：201603019774650486

半導体素子及びその製造方法、半導体基板、並びに結晶積層構造体

発明者： 佐々木 公平 ,  倉又 朗人 ,  東脇 正高
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-152410
公開番号（公開出願番号）：特開2016-031953
出願日： 2014年07月25日
公開日（公表日）： 2016年03月07日
要約：

【課題】放熱特性及び耐電圧性に優れたGa2O3系の半導体素子及びその製造方法、並びにその半導体素子の製造に用いることができる半導体基板及び結晶積層構造体を提供する。【解決手段】一実施の形態として、0.05μm以上かつ50μm以下の厚さを有する、Ga2O3系結晶からなる下地基板11と、Ga2O3系結晶からなり、下地基板11上にエピタキシャル成長したエピタキシャル層12と、を有するショットキーダイオード10を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

0.05μm以上かつ50μm以下の厚さを有する、Ga2O3系結晶からなる下地基板と、 Ga2O3系結晶からなり、前記下地基板上にエピタキシャル成長したエピタキシャル層と、 を有する半導体素子。

IPC (13件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/16 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/337 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812

FI (14件)：

H01L21/20 ,  C30B29/16 ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 658K ,  H01L29/80 V ,  H01L29/80 B

Fターム (85件)：

4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG17 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102HC01 ,  5F110AA13 ,  5F110AA23 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16 ,  5F140AA25 ,  5F140AA34 ,  5F140AC23 ,  5F140BA00 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BF16 ,  5F140BF17 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F152LL03 ,  5F152LL07 ,  5F152LL09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP04 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152NN01 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 炭化ケイ素金属半導体電界効果トランジスタ及び炭化ケイ素の金属半導体電界効果トランジスタを製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-582844   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041808   出願人：株式会社東芝
• 発光素子用エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-299632   出願人：日立電線株式会社
• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-009372   出願人：富士電機株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-153226   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-097035   出願人：エルピーダメモリ株式会社