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J-GLOBAL ID:201702284094660897   整理番号:17A0820631

ホスフィンスルフィド部位を有する新規りん光性有機イリジウム錯体の合成と発光特性

著者 (5件):
資料名:
巻: 97th  ページ: ROMBUNNO.3E4-37  発行年: 2017年03月03日 
JST資料番号: S0493B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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電子輸送能を有するりん光性有機イリジウム錯体は,高効率な有機EL素子の発光材料として盛んに研究されている。これまでホスフィンオキシド系置換基が電子輸送性部位として有機イリジウム錯体に導入された例はあるが,より電子輸送能が高いとされるホスフィンスルフィドの導入については,ほとんど報告例がない。本研究では,ホスフィンスルフィド部位を有する新規りん光性有機イリジウム錯体を合成し,発光特性について検討した。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
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白金族元素の錯体  ,  錯体のルミネセンス 
物質索引 (2件):
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タイトルに関連する用語 (4件):
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