特許
J-GLOBAL ID：200903069365062051

有機電界効果トランジスタ

発明者：
新保 一成

新保 一成 について

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金子 双男

金子 双男 について

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加藤 景三

加藤 景三 について

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皆川 正寛

皆川 正寛 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 新潟大学

国立大学法人 新潟大学 について


代理人 (4件)： 牛木 護 ,  清水 栄松 ,  外山 邦昭 ,  吉田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-205968
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027326
出願日： 2005年07月14日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 電流値が大きく、かつ同一の有機半導体を用いてp・nチャネル双方の有機電界効果トランジスタを提供する。 【解決手段】 OFET1は、最下層となるゲート電極2と、n形シリコンからなるn-Si(シリコン)層3と、SiO2(二酸化シリコン)層4と、電荷発生層としてのV2O5(五酸化バナジウム)層5と、有機半導体層としてのCuPc(銅フタロシアニン)層6と、最上層となるソース電極7及びドレイン電極8とを積層して構成されている。V2O5層5に生じた正孔がCuPc層6に注入されることによりその移動度を向上させることができる。また、正のゲート電圧Vgを印加することで動作させることができるため、nチャネルのFETとして動作させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、有機半導体からなる有機半導体層と、有機半導体層とゲート電極を絶縁する絶縁層と、ドレイン電極及びソース電極から構成される有機電界効果トランジスタにおいて、電子または正孔を生成する電荷発生層を前記有機半導体層に密接させて設けたことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28 280
Fターム (11件)：
5F110AA07 ,  5F110CC07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (10件)
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