研究者
J-GLOBAL ID:200901025943871540   更新日: 2024年11月05日

古田 守

フルタ マモル | Furuta Mamoru
所属機関・部署:
職名: 主任教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
  • 高知工科大学  総合研究所 ナノテクノロジー研究センター   センター長
ホームページURL (1件): http://www.env.kochi-tech.ac.jp/m-furuta/
研究分野 (4件): 電気電子材料工学 ,  電子デバイス、電子機器 ,  薄膜、表面界面物性 ,  無機材料、物性
研究キーワード (7件): 酸化物半導体 ,  薄膜プロセス ,  薄膜トランジスタ ,  デバイスシミュレーション ,  ディスプレイ ,  センサー ,  微細加工およびプロセス
競争的資金等の研究課題 (8件):
  • 2022 - 2025 水素による透明金属酸化インジウムの半導体転移と固相結晶化フレキシブルトランジスタ
  • 2016 - 2019 フレキシブル透明回路を実装した三層積層式色分離型イメージセンサの創成
  • 2011 - 2014 酸化亜鉛透明トランジスタと積層式色分離型光電変換素子からなる光デバイスの創成
  • 2010 - 2011 新しい透明スイッチング素子の開発
  • 2009 - 2011 次世代薄膜トランジスタ実現に向けた大面積基板対応ナノ結晶シリコン製膜プロセス・装置化技術の開発
全件表示
論文 (153件):
  • Prashant R. Ghediya, Yusaku Magari, Hikaru Sadahira, Takashi Endo, Mamoru Furuta, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Hiromichi Ohta. Reliable Operation in High-Mobility Indium Oxide Thin Film Transistors. Small Methods. 2024
  • Xiaoqian Wang, Yusaku Magari, Furuta Mamoru. Nucleation and grain growth in low-temperature rapid solid-phase crystallization of hydrogen-doped indium oxide. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Naoki Okamoto, Xiaoqian Wang, Kotaro Morita, Yuto Kato, Mir Mutakabbir Alom, Yusaku Magari, Furuta Mamoru. Uniformity and Reliability of Enhancement-mode Polycrystalline Indium Oxide Thin Film Transistors formed by Solid-phase Crystallization. IEEE Electron Device Letters. 2024
  • Yusaku Magari, Taiki Kataoka, Wenchang Yeh, Mamoru Furuta. High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors. Nature Communications. 2022. 13. 1
  • Yusaku Magari, Wenchang Yeh, Toshiaki Ina, Mamoru Furuta. Influence of Grain Boundary Scattering on the Field-Effect Mobility of Solid-Phase Crystallized Hydrogenated Polycrystalline In2O3 (In2O3:H). Nanomaterials. 2022. 12. 17. 2958-2958
もっと見る
MISC (144件):
もっと見る
特許 (168件):
書籍 (4件):
  • 酸化亜鉛の最先端技術と将来
    2011
  • 薄膜トランジスタ
    コロナ社 2008
  • 薄膜ハンドブック
    オーム社 2008
  • 低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発-システムオンパネルをめざして
    シーエムシー出版 2007
講演・口頭発表等 (12件):
  • High Mobility Hydrogenated Polycrystalline In-Ga-O (IGO:H) Thin-Film Transistors formed by Solid Phase Crystallization
    (Society for Information Display (2021) 2021)
  • Heterojunction Channel Engineering for Oxide Thin-Film Transistors
    (The 6th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE2020) 2020)
  • Heterojunction Channel Engineering for in-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors
    (Electrochemical Socierty (ECS PRiME2020) 2020)
  • TFTs for Active Matrix: from Silicon to Oxides and New materials
    (3rd International Conference on Consumer Electronics and Device (ICCED 2019) 2019)
  • Carrier transport and bias stress stability of IGZO TFT with heterojunction channel
    (7th International Conference on Semiconductor Technology for ULSI and TFTs 2019)
もっと見る
学歴 (4件):
  • 2002 - 2003 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 博士後期課程短期修了
  • 1986 - 1988 電気通信大学 通信工学専攻修了
  • 1984 - 1986 電気通信大学 通信工学科編入学
  • 1979 - 1984 大阪府立工業高等専門学校 電気工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (奈良先端科学技術大学院大学)
経歴 (8件):
  • 2020/04 - 現在 高知工科大学 総合研究所 ナノテクノロジー研究センター センター長
  • 2018/08 - 現在 高知工科大学 環境理工学群 主任教授
  • 2011/01 - 2018/07 高知工科大学 環境理工学群 教授
  • 2008/04 - 2010/12 高知工科大学 ナノデバイス研究所 准教授
  • 2005/04 - 2008/03 高知工科大学 総合研究所 助教授
全件表示
委員歴 (9件):
  • 2019/04 - 現在 Materials (MDPI) 編集委員
  • 2018/01 - 現在 International Thin-Film Transistor Conference プログラム委員
  • 2016/04 - 現在 応用物理学会 APEX/JJAP編集委員
  • 2014/04 - 現在 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) プログラム委員
  • 2009/04 - 現在 International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Display (AM-FPD) プログラム委員
全件表示
受賞 (8件):
  • 2021/03 - Society for Information Display (SID) Special Recognition Award
  • 2018/03 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞
  • 2016/12 - International Display Workshops (IDW ’16) Outstanding Poster Award Low-temperature Processed Self-Alighned InGaZnO Hybrid Thin-Film Transistor with an Organic Gate Insulator
  • 2013/12 - International Display Workshops (IDW ’13) Outstanding Poster Award High mobility atmospheric pressure processed IGZO TFT with AlOx/IGZO stack fabricated by mist-CVD
  • 2013/07 - Semiconductor Technology for ULSI and TFTs IV (2013) Overall Poster Award High mobility IGZO TFT fabricated by solution-based non-vacuum mist-CVD
全件表示
所属学会 (5件):
Society for Information Display ,  IEEE ELECTRON DEVICE SOCIETY ,  THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY ,  日本MRS ,  応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る