研究者
J-GLOBAL ID：200901028199093231
更新日: 2024年04月17日 中島 寛
ナカシマ ヒロシ | Nakashima Hiroshi
佐世保工業高等専門学校
佐世保工業高等専門学校 について
ホームページURL (1件)： http://astec.kyushu-u.ac.jp/nakasima/naka-home.htm
研究キーワード (6件)：
機能性薄膜形成
, 半導体中の格子欠陥
, 半導体プロセス技術
, Functional thin film
, defects in semiconductors
, Semiconductor process technology
競争的資金等の研究課題 (9件)： - 次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の開発
- SOIウェーハ中の欠陥評価と制御
- シリコン中の欠陥評価と制御
- LSI用機能性薄膜の低温形成とデバイス応用
- Development of high-K gate insulating films for next generation LSI
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- LW Zhao, NH Luu, D Wang, Y Sugimoto, K Ikeda, H Nakashima, H Nakashima. Low-temperature growth of thin silicon nitride film by electron cyclotron resonance plasma irradiation. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2004. 43. 1A-B. L47-L49
- JL Wang, LW Zhao, NH Luu, K Makiyama, D Wang, H Nakashima. Growth kinetics and electrical properties of ultrathin Si oxide film fabricated using Krypton-diluted oxygen plasma excited by electron cyclotron resonance. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 10. 6496-6501
- T Joge, Araki, I, T Uematsu, T Warabisako, H Nakashima, K Matsukuma. Low-temperature boron gettering for improving the carrier lifetime in Fe-contaminated bifacial silicon solar cells with n(+)pp(+) back-surface-field structure. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 9A. 5397-5404
- JS Gao, K Umeda, K Uchino, H Nakashima, K Muraoka. Plasma breaking of thin films into nano-sized catalysts for carbon nanotube synthesis. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING. 2003. 352. 1-2. 308-313
- JL Wang, T Saitou, Y Sugimoto, D Wang, LW Zhao, H Nakashima. Effect of ion mass and ion energy on low-temperature deposition of polycrystalline-Si thin film on SiO2 layer by using sputtering-type electron cyclotron resonance plasma. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 5B. L511-L513
- SOIウェーハの過渡容量測定試料構造及びSOIウェーハの評価方法
- Electronic device and process for producing the same (電子デバイス及びその製造方法)09/660335
- 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
- 電子デバイス及びその製造法
- プラズマスパッタリングによる結晶薄膜の低温成長法
-
シリコン中の格子欠陥評価と制御
2003 - 2004 -
次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成
2001 - 2003 -
高速LSI用歪SOIウェーハの研究開発
2001 - -
Research and development of strained SOI water for high-speed LSI
2001 - -
シリコン系支持膜に関する研究
1999 - 2000
- - 1983 九州大学 工学研究科 電気工学
- - 1983 九州大学
- - 1978 九州大学 工学部 電気工学
- - 1978 九州大学
- 工学博士 (九州大学)
- 工学修士 (九州大学)
- 2003/10 - - 九州大学産学連携センター(名称換) 教授
- 2003/10 - - Kyushu Univ. Art, Sci. and Tech. Center for
- 1999 - 2003 九州大学先端科学技術共同研究センター 教授
- 1999 - 2003 Kyushu Univ. Advanced Sci. and Tech. Center for
- 1994 - 1999 九州大学先端科学技術共同研究センター 助教授
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- 1997 - 応用物理学会九州支部 理事
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