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研究者
J-GLOBAL ID:200901032150000561
更新日: 2024年02月01日
太田 実雄
オオタ ジツオ | Ohta Jitsuo
所属機関・部署:
東京大学 生産技術研究所
東京大学 生産技術研究所 について
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職名:
助教
研究分野 (5件):
無機材料、物性
, 電子デバイス、電子機器
, 結晶工学
, 応用物性
, 電気電子材料工学
研究キーワード (10件):
InGaN
, 低温
, Sic
, PLD
, III族窒化物
, パルス励起堆積法
, 低温成長
, 光電子機能デバイス
, 2次元原子薄膜
, 窒化物半導体
競争的資金等の研究課題 (1件):
2014 - 2015 低温成長技術によるシリコン(111)上への窒化物系発光素子集積と光MEMS応用
特許 (4件):
薄膜形成装置及び薄膜形成方法
薄膜形成装置及び薄膜形成方法
酸化ガリウム-窒化ガリウム複合基板の製造方法、及び酸化ガリウム-窒化ガリウム複合基板
半導体基板の製造方法、半導体基板の製造装置及び半導体基板
講演・口頭発表等 (256件):
導電性バッファー層を用いたSi基板上へのGaN薄膜成長
(結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 2015)
非晶質材料上に成長したGaN薄膜の特性評価
(結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 2015)
パルス励起堆積法による新奇ヘテロエピ構造の創製
(応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015)
GaN薄膜成長におけるHfNバッファ層の検討
(応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015)
ガラス基板上窒化物半導体薄膜トランジスタの特性
(応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015)
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学歴 (3件):
2001 - 2004 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 博士課程
1999 - 2001 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 修士課程
1995 - 1999 東京大学 工学部 応用化学科
学位 (1件):
博士(工学) (東京大学)
経歴 (4件):
2015/10 - 現在 JST さきがけ研究者(兼任)
2005/09 - 現在 東京大学 生産技術研究所 助教
2004/10 - 2005/08 東京大学 生産技術研究所 研究機関研究員
2004/04 - 2004/10 神奈川科学技術アカデミー 研究員
所属学会 (3件):
日本放射光学会
, 日本結晶成長学会
, 応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、
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の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
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