- 2020 - 2024 将来の革新デバイスに向けたBi・Sn媒介GeSnナノドット形成技術の研究
- 2019 - 2022 外部電子エネルギー注入による埋もれた界面への量子ドット構造形成
- 2017 - 2020 半金属(金属)を媒介したIV族半導体ナノ構造の形成と次世代デバイス要素技術への応用
- 2015 - 2018 真空熱分解法によるシリコンナノ構造形成と反応制御
- 2009 - 2011 リアルタイム観測によるナノオーダー極薄シリコン絶縁膜の形成機構
- 2008 - 2009 新奇量子構造SiGeナノハットおよびナノリングの自己組織的形成
- 1999 - 2000 リアルタイム光電子分光法によるシリコン熱酸化過程の研究
- 1998 - 2000 Siウェーハ表面汚染インライン赤外診断装置の開発研究
- 1997 - 1999 Si上水素の表面化学とエピタキシー制御
- 1998 - 1998 赤外反射分光法による半導体電極-溶液界面反応機構の研究
- 1997 - 1998 リアルタイム光電子分光による半導体表面準位の新解析法
- 1997 - 1997 赤外反射分光法による半導体電極-溶液界面反応機構の研究
- 1995 - 1996 光電子分光強度の振動測定による単原子層精度結晶成長のその場観察
- 1994 - 1996 有機金属を用いた光触媒反応による層状超薄膜構造の形成
- 1994 - 1996 表面電子分光による半導体表面化学反応の放射光励起効果と反応機構の研究
- 1993 - 1995 赤外反射分光法による半導体結晶表面の原子制御計測の開発
- 1993 - 1993 角度分解光電子強度の周期的振動による単原子層結晶成長制御に関する研究
- 1991 - 1993 放射光励起ガスソースCVDによる高誘電体薄膜の低温形成
- Si表面初期窒化過程
- Si表面初期酸化過程
- 半導体結晶成長に関する研究
- Initial nitridation process at Siourfaces
- Initial oxidation process at Si surfaces
- Study on Semiconductor Epitaxial Growth
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