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J-GLOBAL ID:202002258466080500   整理番号:20A0023765

窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果

Annealing effects on the properties of nitrogen doped DLC films
著者 (8件):
資料名:
巻: 119  号: 271(CPM2019 44-51)  ページ: 9-14  発行年: 2019年10月31日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し,真空中ポストアニールが膜特性に及ぼす影響について調べた。235~270°Cの真空中ポストアニールによって,光学バンドギャップはわずかに増加した。これは,バンドギャップ中の欠陥準位密度が減少したことを示唆する。一方420~490°Cの真空中ポストアニールによって,光学バンドギャップは減少した。このとき,膜中の結合水素量が減少し,sp2C=Cの増加およびsp2炭素のクラスター化が促進されていることがわかった。N-DLC/p型siヘテロ接合の電流電圧特性を調べた結果,490°Cのアニールを施したN-DLC/p型Siヘテロ接合の整流比が最も大きくなった。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
引用文献 (17件):
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