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J-GLOBAL ID:201802223682515100   整理番号:18A2209512

ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性

Thermal stability of silicon and nitrogen doped DLC thin films
著者 (8件):
資料名:
巻: 118  号: 276(CPM2018 41-53)  ページ: 99-104  発行年: 2018年10月25日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-DLC)の膜特性へのアニール効果を調べ,窒素添加DLC(N-DLC)膜との比較を行った。N-DLC膜では420°C以上の真空中ポストアニールによってsp2炭素のクラスター化が起こるが,Si-N-DLC膜では420°Cのアニールでもクラスター化がほぼ抑制されることがわかった。また,Si-N-DLC膜では420~490°Cのアニール後に結合水素量が明らかに増加した。Si-N-DLC膜の光学ギャップはN-DLC膜よりも大きく,490°Cのアニール後もほとんど変化しなかった。(著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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