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J-GLOBAL ID：201902282764215151   整理番号：19A2331892

AlN/オフアクシスSi(110)ヘテロ構造上の3C-SiC(111)の成長とその上へのエピタキシャルグラフェンの形成

Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon

著者 (4件)： NARITA Syunki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NARA Yuki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  ENTA Yoshiharu (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NAKAZAWA Hideki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SI  ページ： SIIA16.1-SIIA16.8  発行年： 2019年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  結晶方位 ,  素子構造 ,  *炭化ケイ素 ,  *エピタクシー ,  *グラフェン ,  パルスレーザ蒸着 ,  RHEED ,  双晶 ,  焼なまし ,  X線光電子分光法 ,  ヘテロ構造 ,  *3C-炭化ケイ素
準シソーラス用語： *AlN ,  結晶軸方向 ,  *3C-SiC ,  エピタキシャル成長 ,  反射高エネルギー電子回折 ,  アニーリング処理 ,  XPS

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (35件)：

• M. Suemitsu, Y. Miyamoto, H. Handa, and A. Konno, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 7, 311 (2009).
• Y. Miyamoto et al., e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 7, 107 (2009).
• H. Fukidome, Y. Miyamoto, H. Handa, E. Saito, and M. Suemitsu, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 01AH03 (2010).
• K. Zekentes, N. Becourt, M. Androulidaki, K. Tsagaraki, J. Stoemenos, J. M. Bluet, J. Camassel, and J. Pascual, Appl. Surf. Sci. 102, 22 (1996).
• J. Chaudhuri, X. Cheng, C. Yuan, and A. J. Steckl, Thin Solid Films 292, 1 (1997).

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  3C-SiC ,  成長 ,  エピタキシャルグラフェン