田中成泰

Tanaka Shigeyasu

研究分野 (4件)：構造生物化学 , 薄膜、表面界面物性 , 電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学

研究キーワード (4件)：電子デバイス・機器工学 , 電子・電気材料工学 , Electron Devices and Apparatus Engineering , Electronic and Electric Materials Engineering

競争的資金等の研究課題 (23件)：

2004 - 2008 加工シリコン基板上への窒化物半導体の選択再成長法によるナノヘテロ構造の創製

2003 - 2005 反強磁性薄膜材料の電子波による研究

2002 - 2004 電子線実体位相顕微鏡の開発

2001 - 2003 カーボンナノチューブ電界放出型電子銃を透過電子顕微鏡へ搭載するための研究

2001 - 2003 選択成長法によるシリコン基板上への集積形窒化物半導体デバイスの作製に関する研究

1999 - 2000 薄膜レンズを用いた球面収差補正による電子顕微鏡の高分解能化

1997 - 1998 電子顕微鏡像の最大エントロピー修復による構造解析法の研究

1996 - 1997 微細構造グラニュラー膜作製のための基礎的研究

1995 - 1996 最大エントロピー法を用いた画像修復による電子顕微鏡の高解像化に関する研究

1995 - 1996 高輝度・高解像度電子顕微鏡観察YAGスクリーンに関する基礎研究

1995 - 1995 高品質な高分解能電顕像を得るための半導体試料の薄片化法の検討

1993 - 1995 球面収差補正用サイドエントリ-薄膜レンズによる走査透過電子顕微鏡の高分解能化

1994 - 1994 高品質な高分解能電顕像を得るための半導体試料の薄片化法の検討

1993 - 1994 薄膜レンズを用いた透過電子顕微鏡用対物レンズの球面収差補正に関する基礎研究

高分解能電顕法による界面構造の解析

透過電子顕微鏡法による材料評価

High Resolution Electron Microscopy of Interface Structure

Characterization of Materials by Transmission Electron Microscopy

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論文 (13件)：

MISC (22件)：

Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Tanaka, Shigeyasu, Amano, Hiroshi. Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Physica Status Solidi C. 2013. 10. 3. 369-372
Shigeyasu Tanaka, Yoshio Honda, Norifumi Kameshiro, Ryuta Iwasaki, Nobuhiko Sawaki, Takayoshi Tanji. Transmission electron microscopy study of the microstructure in selective-area-grown GaN and an AlGaN/GaN heterostructure on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate. Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters. 2002. 41. 7 B. L846-L848
S Tanaka, Y Kawaguchi, N Sawaki, M Hibino, K Hiramatsu. Defect structure in selective area growth GaN pyramid on (111)Si substrate. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2000. 76. 19. 2701-2703
S Tanaka, Y Kawaguchi, K Yamada, N Sawaki, M Hibino, K Hiramatsu. Transmission electron microscopy study of selective area growth of GaN on (111)Si using AlGaN as an intermediate layer. PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS. 2000. 1. 300-301
(111)Si上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察. 応用電子物性分科会誌. 1999. 5. 197

特許 (3件)：

学歴 (4件)：

学位 (1件)：

所属学会 (2件)：

日本電子顕微鏡学会 , 応用物理学会

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田中 成泰