特許
J-GLOBAL ID：200903053204908313
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038263
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243702
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体発光素子は、シリコン基板1と、シリコン基板1の主面上に形成された一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z==1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層と、シリコン基板1の主面から62度の傾斜した面もしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝6と、シリコン基板1の主面上に化合物半導体層2を転位が貫通するのを防ぐためのマスク19とを備える。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、前記シリコン基板に形成され、前記シリコン基板の主面より62度傾斜した面かもしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝と、前記斜面上に形成され、(1-101)ファセット面を成長面とする窒化物半導体層と、前記シリコン基板上に選択的に形成され、前記窒化物半導体層の成長を抑制する成長抑制層と、前記窒化物半導体層の前記成長面に向かって転位が延びることを抑制する転位抑制層と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CB11
, 5F045AA04
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045AF03
, 5F045AF13
, 5F045AF20
, 5F045DA53
, 5F045DB02
