研究者
J-GLOBAL ID:200901055415084533   更新日: 2024年10月10日

松岡 隆志

マツオカ タカシ | Matsuoka Takashi
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): https://www.matsuoka-lab.niche.tohoku.ac.jp/
研究分野 (5件): 応用物理一般 ,  ナノバイオサイエンス ,  ナノ材料科学 ,  電気電子材料工学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (10件): 半導体 ,  窒化物半導体 ,  ワイドギャップ半導体 ,  半導体発光素子 ,  分布帰還型レーザ ,  青色発光ダイオード ,  有機金属気相成長 ,  薄膜成長 ,  窒化インジウム ,  窒化ガリウム
競争的資金等の研究課題 (21件):
  • 2024 - 2027 窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究
  • 2023 - 2026 半導体中における進行波増幅の可能性の検証に関する研究
  • 2016 - 2019 窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術
  • 2016 - 2019 非対称導波路結合光子・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の研究
  • 2016 - 2019 窒素極性InGaNチャネルヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの研究
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論文 (127件):
  • Takashi Matsuoka, Hitoshi Morioka, Satoshi Semboshi, Yukihiko Okada, Kazuya Yamamura, Shigeyuki Kuboya, Hiroshi Okamoto, Tsuguo Fukuda. Properties of ScAlMgO4 as Substrate for Nitride Semiconductors. Crystals. 2023. 13. 3. 449-449
  • T. Matsuoka, T. Mitate, S. Mizuno, H. Takahata, T. Tanikawa. N-Polar Gowth of Nitride Semiconductors with MOVPE and its Applications. J. Cryst. Growth. 2023. 65. 127056
  • K. Prasertsuk, T. Suemitsu, T. Matsuoka. Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors. Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 61. SA1006
  • T. M. Inerbaev, T. Matsuoka, Y. Kawazoe. Optical Band Gap Energy Values in Wurtzite InxGa1-xN. Bulletin of The University of Karaganda-Physics. 2022. 105. 107-116
  • V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, Y. T. Zhang, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Kimura, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka. Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2020. 20. 5. 2979-2986
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MISC (15件):
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特許 (79件):
書籍 (8件):
  • Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds ~Computational Approach~
    Springer 2018
  • 未来をさがそう 韓国語版
    ダイヤモンド社 2007
  • 未来をさがそう
    ダイヤモンド社 2005
  • Advanced Materials in Electronics 2004
    Research Signpost 2004
  • 新編 光学材料ハンドブック
    株式会社 リアライズ社 2000
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講演・口頭発表等 (623件):
  • The Underemphasized Concept of Crystal Polarity in Conventional Semiconductors and Its Device Application
    (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024) 2024)
  • 収束電子回折法によるGaN/AlGaNヘテロ接合界面の微細構造解析
    (日本顕微鏡学会 第67回シンポジウムシンポジウム 2024)
  • New Developments in Nitride Semiconductors Focusing on Wurtzite Structure
    (Asian Consortium on Computational Materials Science (ACCMS)-Global Research Center 2024)
  • 窒化物半導体の結晶成長とその光・電子デバイスへの応用
    (一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA) 2024)
  • Semiconductor Materials and Devices Enabling Extreme Operating Characteristics
    (KOR-TWN-JPAN Trilateral Technology Dialogue on Semiconductor 2024)
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学歴 (2件):
  • 1976 - 1978 北海道大学 工学研究科 修士課程 電子工学専攻
  • 1972 - 1976 北海道大学 工学部 電子工学科
学位 (1件):
  • 工学博士 (北海道大学)
経歴 (17件):
  • 2023/04 - 現在 電子情報通信学会 正員(終身)
  • 2023/01 - 現在 IEEE ライフ フェロー
  • 2022/01 - 現在 日本結晶成長学会
  • 2019/04 - 現在 東北大学 未来科学技術共同研究センター 特任教授
  • 2019/04 - 現在 東北大学 名誉教授
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委員歴 (42件):
  • 2010/01 - 現在 The Open Applied Physics Journal 副編集委員長
  • 2022/10 - 科学研究費補助金S 意見書策定委員
  • 2020/11 - 2021/03 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ賞選定委員
  • 2017/11 - 2020 イムラ・ジャパン賞 審査委員
  • 2017/12 - 2019/01 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究Sおよび新学術領域 審査委員
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受賞 (30件):
  • 2023/01 - IEEE IEEE フェロー表彰 "For Contributions to Laser Diodes for Optical Communications and Nitride Semiconductors for Light Emitting Devices",
  • 2021/04 - ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021 ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021における最優秀講演賞 "Evidence of Carrier Trapping at Extrinsic Gate Region in N-Polar GaN/AlGaN MIS HEMTs"
  • 2019/09 - 応用物理学会 第41回応用物理学会優秀論文賞 ”Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals using Two-Photon Excitation Photoluminescence”
  • 2018/03 - 公益社団法人 応用物理学会 第8回(平成29年度)応用物理学会 化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤﨑勇賞) 「InGaN系混晶半導体のエピタキシャル成長技術に関する先駆的研究」
  • 2018/01 - 河北新報社 第69回(平成29年度)河北文化賞 「赤外から青色までの半導体材料とその素子応用によるエレクトロニクスの発展への貢献」
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所属学会 (6件):
日本結晶成長学会 ,  The international Society for Optics and Photonics (SPIE) ,  Materials Research Society (MRS) ,  The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) ,  電子情報通信学会 ,  日本応用物理学会
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