中島昭

ナカジマアキラ | Nakajima Akira

所属機関・部署：
職名：主任研究員
ホームページURL (1件)： https://unit.aist.go.jp/adperc/ci/

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (6件)：等価回路モデル , デバイスシミュレーション , GaN高移動度トランジスタ , Si絶縁ゲートバイポーラトランジスタ , パワー集積回路 , パワー半導体デバイス

競争的資金等の研究課題 (3件)：

論文 (46件)：

Hirohisa Hirai, Yoshinao Miura, Akira Nakajima, Shinsuke Harada, Hiroshi Yamaguchi. Crystal-orientation-dependent flatband voltage of non-polar GaN MOS interfaces investigated using trench sidewall capacitors. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2021. 119. 7
Yoshinao Miura, Hirohisa Hirai, Akira Nakajima, Shinsuke Harada. A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer. 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). 2021. 343-346
M. Watanabe, N. Shigyo, T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, K. Satoh, T. Matsudai, T. Saraya, T. Takakura, I. Muneta, et al. Accurate TCAD simulation of trench-gate IGBTs and its application to prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices. 2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021. 2021
T. Nakayama, T. Mannen, A. Nakajima, T. Isobe. Gate threshold voltage instability and on-resistance degradation under reverse current conduction stress on E-mode GaN-HEMTs. MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2020. 114
Taichi Nakayama, Tomoyuki Mannen, Akira Nakajima, Takanori Isobe. High-frequency Quasi-Z-source Inverter Concept for Short-circuit Capable GaN-HEMT-based Converters. 2020 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE). 2020. 3712-3717

MISC (56件)：

学歴 (3件)：

経歴 (5件)：

2015/04 - 現在国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター主任研究員
2011/04 - 2015/03 独立行政法人産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門主任研究員
2009/05 - 2011/03 The University of Sheffield Department of Electronic and Electrical Engineering Newton International Fellow
2007/10 - 2009/03 独立行政法人産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクスラボ NEDOプロジェクト型任期付職員
2005/04 - 2007/09 独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センターポストドクター

委員歴 (1件)：

所属学会 (3件)：

一般社団法人電気学会 , IEEE , 公益社団法人応用物理学会

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中島 昭