研究者
J-GLOBAL ID：200901090855732235   更新日: 2021年08月24日

吉田 貞史

ヨシダ サダフミ | Yoshida Sadafumi
ホームページURL (1件)： http://www.opt.ees.saitama-u.ac.jp/~yoshida/yoshi.html
研究分野 (4件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 窒化物半導体の結晶成長と物性評価
  • 炭化珪素半導体のデバイス化プロセス基礎技術の研究
  • Crystal Growth and Characterization of Nitride Semiconductors
  • Study on the basic of the process technologies for silicon carbide devices
MISC (8件)：
もっと見る
書籍 (4件)：
  • SiC素子の基礎と応用
    オーム社 2003
  • “Epitaxial Growth, Characterization, and Properties of SiC” in Electric Refractory Materials
    Marcell Dekker, Inc. 2000
  • “Epitaxial Growth, Characterization, and Properties of SiC” in Electric Refractory Materials
    Marcell Dekker, Inc. 2000
  • 「薄膜」
    培風館 1990
Works (2件)：
  • 分光偏光解析等によるSiC酸化層の評価
    1998 -
  • Characterization of SiC/oxide interfaces by spectroscopic ellipsometry
    1998 -
学歴 (6件)：
  • - 1972 東京大学 工学系研究科
  • - 1972 東京大学
  • - 1969 東京大学 工学系研究科
  • - 1969 東京大学
  • - 1967 東京大学 工学部
全件表示
学位 (2件)：
  • 工学修士 (東京大学)
  • 工学博士 (東京大学)
経歴 (6件)：
  • 1973 - 1997 通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
  • 1973 - 1997 Electrotechnical Laboratory, AIST, MITI
  • 1997 - - 埼玉大学工学部教授
  • 1997 - - Professor, Faculty of Engineering, Saitama University
  • 1972 - 1973 東京大学工学部助手
全件表示
受賞 (1件)：
  • 1992 - 市村学術貢献賞
所属学会 (3件)：
応用物理学会(常務理事1993-5,評議員1996-,SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会代表幹事1995-1997) ,  電気学会 ,  真空協会(理事1997-)
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM